稀土元素：半導(dǎo)體制造的 “工業(yè)維生素”

在化學(xué)周期表中，鑭系元素與釔、鈧組成的 17 種稀土元素，憑借 “微量?jī)?yōu)化材料性能” 的特性，被譽(yù)為 “工業(yè)維生素”。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，稀土貫穿設(shè)備制造、材料研發(fā)、先進(jìn)工藝全鏈條，其作用不可替代。

設(shè)備級(jí)支撐：EUV 光刻機(jī)的晶圓臺(tái)依賴釹鐵硼（NdFeB）永磁體實(shí)現(xiàn)納米級(jí)精度運(yùn)動(dòng)，單臺(tái)設(shè)備需數(shù)十公斤稀土磁鋼。光源系統(tǒng)中，釹摻雜釔鋁石榴石（Nd:YAG）晶體用于輔助激光檢測(cè)，而鋱鎵石榴石（TGG）晶體則是光學(xué)隔離器的核心材料。材料創(chuàng)新突破：氧化鈰（CeO?）拋光劑在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中對(duì) SiO?的選擇性去除率是傳統(tǒng)磨料的 3 倍以上；氧化釔（Y?O?）涂層可將刻蝕機(jī)部件壽命延長(zhǎng) 5 倍。先進(jìn)制程關(guān)鍵：在 3nm 以下節(jié)點(diǎn)，鑭摻雜的 HfO?高 k 介質(zhì)材料可降低晶體管閾值電壓 20%，顯著提升能效比。

中國(guó)稀土管制新政：重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局

2025 年 10 月 9 日，中國(guó)商務(wù)部發(fā)布新規(guī)，對(duì)涉及 14nm 以下邏輯芯片、256 層以上存儲(chǔ)芯片的稀土出口實(shí)施逐案審批，并首次將稀土二次資源回收技術(shù)納入管制范圍。此舉直接沖擊三星、SK 海力士等國(guó)際巨頭的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，據(jù)測(cè)算可能導(dǎo)致全球高端芯片產(chǎn)能增速放緩 15%。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)稀土產(chǎn)業(yè)鏈加速自主化：北方稀土的高性能釹鐵硼磁鋼已通過(guò) ASML 認(rèn)證，用于下一代高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)；有研稀土研發(fā)的氧化銪（Eu?O?）薄膜，實(shí)現(xiàn)與 CMOS 工藝兼容的硅基發(fā)光器件，打破國(guó)外在光電子集成領(lǐng)域的壟斷。

IC China 2025：稀土技術(shù)與產(chǎn)業(yè)融合的風(fēng)向標(biāo)

作為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)年度盛會(huì)， 第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2025） 將于 11 月 23-25 日在北京國(guó)家會(huì)議中心舉辦，首次設(shè)立 “稀土半導(dǎo)體材料與設(shè)備專(zhuān)區(qū)”，集中展示稀土在芯片制造各環(huán)節(jié)的創(chuàng)新應(yīng)用。核心亮點(diǎn)前瞻：

1. 設(shè)備制造：中科院長(zhǎng)春光機(jī)所將展示基于銩（Tm）激光器的 EUV 光源原型機(jī)，能效比現(xiàn)有 CO?激光器提升 10 倍，預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2. 材料創(chuàng)新：江西理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)將發(fā)布全球首款摻鈧（Sc）的氮化鋁（AlN）壓電薄膜，使 5G 射頻濾波器性能提升 40%。
3. 先進(jìn)工藝：中芯國(guó)際將演示稀土摻雜的高 k 介質(zhì)在 2nm GAA 晶體管中的應(yīng)用，漏電率較傳統(tǒng)工藝降低 90%。
4. 循環(huán)經(jīng)濟(jì)：廈門(mén)鎢業(yè)將展示稀土永磁體回收技術(shù)，實(shí)現(xiàn)鏑（Dy）、鋱（Tb）等中重稀土的閉環(huán)利用，成本較原礦開(kāi)采降低 60%。

政策與產(chǎn)業(yè)聯(lián)動(dòng)：展會(huì)期間將舉辦 “稀土 - 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展論壇”，工信部相關(guān)負(fù)責(zé)人將解讀最新管制政策，華為海思、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等龍頭企業(yè)將分享稀土材料的國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)展。

未來(lái)趨勢(shì)：稀土驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)范式變革

1. 極紫外光刻突破：LLNL 的銩激光器若商業(yè)化，可使 EUV 光刻成本降低 70%，推動(dòng) 2nm 以下制程普及。
2. 自旋電子學(xué)革命：摻銩（Tm）的稀磁半導(dǎo)體（DMS）將實(shí)現(xiàn)磁存儲(chǔ)與邏輯運(yùn)算的集成，存儲(chǔ)密度較傳統(tǒng) MRAM 提升 10 倍。
3. 硅基光電集成：氧化銪（Eu?O?）薄膜與硅光子學(xué)的結(jié)合，有望催生低成本光通信模塊，打破國(guó)外在光芯片領(lǐng)域的壟斷。

稀土元素正從 “幕后” 走向 “臺(tái)前”，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵變量。IC China 2025 作為產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)，將集中呈現(xiàn)稀土技術(shù)的最新突破與應(yīng)用場(chǎng)景，為全球半導(dǎo)體從業(yè)者提供洞察未來(lái)的窗口。隨著中國(guó)在稀土資源與技術(shù)領(lǐng)域的雙重發(fā)力，一場(chǎng)由 “工業(yè)維生素” 驅(qū)動(dòng)的科技革命正在悄然開(kāi)啟。展會(huì)信息速覽

• 第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)（IC China 2025）
  

• 時(shí)間：2025 年 11 月 23-25 日

• 地點(diǎn)：北京?國(guó)家會(huì)議中心

• 展位預(yù)定：13810788214